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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI2343DS-T1-GE3-VB一款SOT23封裝P—Channel場效應(yīng)MOS管

型號: SI2343DS-T1-GE3
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • Channel P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 型號:SI2343DS-T1-GE3-VB
- 絲?。篤B2355
- 品牌:VBsemi
- 封裝:SOT23
- 類型:P-Channel溝道
- 額定電壓:-30V
- 額定電流:-5.6A
- 導(dǎo)通電阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:-1V

**應(yīng)用簡介:**


這是一款P-Channel溝道的功率場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET),適用于SOT23封裝。其特點包括-30V的額定電壓,-5.6A的額定電流,相對較低的導(dǎo)通電阻等,使其適用于低功率的功率電子應(yīng)用。

**應(yīng)用領(lǐng)域:**
該器件常用于小功率電源開關(guān)、信號放大、電流控制等領(lǐng)域的模塊。在這些模塊中,它可以用于低功率的開關(guān)調(diào)節(jié)、小信號的放大和電流的控制。

**作用:**
- 在小功率電源開關(guān)模塊中,可用于低功率的開關(guān)電源的調(diào)節(jié)和控制。
- 在小功率信號放大模塊中,可用于小功率信號的放大。
- 在小功率電流控制模塊中,可用于低功率電流的控制。

**使用注意事項:**
- 嚴(yán)格按照數(shù)據(jù)手冊提供的最大額定值操作,以防止器件損壞。
- 注意器件的靜電敏感性,采取適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)措施。
- 在設(shè)計中考慮散熱和溫度管理,確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
- 遵循適當(dāng)?shù)暮附雍桶惭b標(biāo)準(zhǔn),以確??煽康碾姎膺B接和機械強度。

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