NTZD5110NT1G-VB一款2個(gè)N溝道SC75-6封裝MOSFET應(yīng)用分析

**VBsemi NTZD5110NT1G-VB 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說明：**

- **絲印標(biāo)識：** VBTA3615M
- **品牌：** VBsemi
- **封裝：** SC75-6
- **通道類型：** 2個(gè)N—Channel溝道
- **漏極-源極電壓（V_DS）：** 60V
- **漏極-源極電流（I_D）：** 0.2A
- **導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）：** 1200mΩ @ V_GS=10V, 1200mΩ @ V_GS=20V
- **閾值電壓（V_th）：** 0.4V

**應(yīng)用簡介：**

VBsemi NTZD5110NT1G-VB 是一款SC75-6封裝的N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于低功率開關(guān)電源和信號放大應(yīng)用。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域和模塊：**

1. **低功率開關(guān)模塊：** 適用于低功率直流-直流（DC-DC）變換器、低功率電源開關(guān)控制等。
 
2. **信號放大模塊：** 由于其N—Channel設(shè)計(jì)，可用于信號放大模塊。

**作用：**

- 提供低功率開關(guān)控制功能。
- 在信號放大電路中發(fā)揮作用。

**使用注意事項(xiàng)：**

1. **電壓等級：** 在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)使用，不要超過產(chǎn)品標(biāo)稱的最大漏極-源極電壓。
 
2. **電流負(fù)載：** 注意電流負(fù)載不要超過產(chǎn)品的額定電流。
 
3. **工作溫度：** 在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)使用，避免超溫操作。

以上信息僅為參考，實(shí)際使用時(shí)請仔細(xì)閱讀產(chǎn)品手冊和規(guī)格書，確保正確使用，并遵循廠商的建議和注意事項(xiàng)。