**NTB75N03-06T4G-VB**
**絲印：** VBL1303
**品牌：** VBsemi
**參數(shù)：** TO263；N—Channel溝道, 30V；170A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=1.7V
**封裝：** TO263
**詳細(xì)參數(shù)說明：**
- **溝道類型：** N—Channel
- **最大承受電壓：** 30V
- **最大電流：** 170A
- **導(dǎo)通電阻：** 3mΩ（在VGS=10V時），3mΩ（在VGS=20V時）
- **閾值電壓：** 1.7V
**應(yīng)用簡介：**
該器件為 N—Channel 溝道的 MOSFET，適用于需要控制正向電流的高功率模塊?？捎糜诠β史糯?、電源開關(guān)和電流調(diào)節(jié)等高電流應(yīng)用。
**作用：**
- 控制正向電流，適用于高功率模塊。
- 在功率放大和電源開關(guān)電路中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
**使用領(lǐng)域模塊：**
1. **功率放大模塊：** 用于構(gòu)建高功率的放大電路，適用于音頻放大器等應(yīng)用。
2. **電源開關(guān)模塊：** 在需要高電流開關(guān)的電源系統(tǒng)中使用，確?？煽康碾娫撮_關(guān)。
3. **電流調(diào)節(jié)模塊：** 用于高電流應(yīng)用，確保系統(tǒng)正常運行。
**使用注意事項：**
1. **電壓和電流限制：** 不要超過規(guī)定的最大電壓和電流。
2. **溫度控制：** 注意器件工作時的溫度，避免過熱。
3. **適當(dāng)?shù)纳幔?* 對于高功率應(yīng)用，確保提供足夠的散熱。
如有需要進(jìn)一步了解或有其他問題，請告訴我。
