描述
HCPL-5730 是采用 8 引腳陶瓷 DIP 封裝的商業(yè)級雙通道密封型光電耦合器。同時提供鍍金引腳、浸錫引腳及其他多種引腳形式選擇。請參閱數(shù)據(jù)表獲取詳細信息。該產品可以搭配全部 MIL-PRF-38534 類 H 級或 K 級測試購買或從 DLA SMD 5962-89785 中選購。HCPL-5730 在 MIL-PRF-38534 認證線路上進行生產和測試，并且 H 類和 K 類版本被納入混合型微型電路 QML-38534 DLA 合格制造商名單中。每個通道都包含 GaAsP 發(fā)光二極管，可以通過光電耦合到集成的高增益光子探測器。高增益輸出級采用集電極開路輸出，既提供飽和電壓，也可以提供比常規(guī)光達靈頓光耦合其更高的信號傳輸速度。芯片工藝的淺深度和小結設計帶來比傳統(tǒng)光晶體管耦合器更佳的抗輻射能力。電源電壓可以低至 2.0V，而不會對參數(shù)性能產生不利影響。這些器件在輸入 0.5mA 電流時具有 300% 的最小 CTR，因此非常適用于低輸入電流應用，如 MOS、CMOS、低功耗邏輯接口或線路接收器。通過在 18V 電壓下指定的 Icch 和 Ioh 來確保與高壓 CMOS 邏輯系統(tǒng)的兼容性。該芯片組的單通道、雙通道或四通道封裝類型為 8 引腳 DIP 直插型和 16 引腳 DIP 直插型，16 引腳表面貼裝 DIP 扁平封裝以及 20 接點無引線陶瓷載體封裝。大部分器件可具有多種引腳類型和電鍍方案選擇。請參閱數(shù)據(jù)表獲取詳細信息。由于數(shù)據(jù)表中所列出每個器件的通道都使用相同電氣特性的芯片，包括發(fā)射器和探測器，因此幾乎所有產品的最大絕對規(guī)格、建議工作條件、電氣規(guī)格和性能特性等幾乎完全相同，如有基于封裝變化和限制造成的部分例外會予以標示。另外，所有器件也使用相同的封裝組裝工藝和材料，這樣的相似性可實現(xiàn)使用從一個部件上獲得的數(shù)據(jù)來代表其他部件的性能，以保證可靠性及部分有限輻射測試結果。
特性
·商業(yè)級、雙通道、8 引腳 DIP
·-55°C 到 +125°C 性能保證
·高抗幅射能力
·可靠性數(shù)據(jù)
·提供 MIL-PRF-38534 H 類和 K 類
·五種密封型封裝配置
·單通道和四通道器件（封裝可能不同）
·低輸入電流要求：0.5mA
·通常在 IF = 0.5mA 時，電流傳輸比高達到 1,500%
·低輸出飽和電壓：0.11V 典型值
·1,500 Vdc 耐壓
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