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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NDT2955-VB場(chǎng)效應(yīng)管一款P溝道SOT223封裝的晶體管

型號(hào): NDT2955-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT223封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào): NDT2955-VB

絲印: VBJ2658

品牌: VBsemi

參數(shù):
- 封裝類型: SOT223
- 溝道類型: P-Channel
- 額定電壓: -60V
- 最大電流: -6.5A
- 開態(tài)電阻: RDS(ON) = 58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = -1~-3V

封裝: SOT223

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
1. **封裝類型 (Package Type):** SOT223,表明該器件使用SOT223封裝。
2. **溝道類型 (Channel Type):** P-Channel,指示這是一個(gè)P溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** -60V,說明器件能夠正常工作的最大負(fù)電壓。
4. **最大電流 (Maximum Current):** -6.5A,表示器件能夠承受的最大電流,負(fù)號(hào)表示電流方向?yàn)閺穆O到源極。
5. **開態(tài)電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,說明在特定的柵源電壓下,開態(tài)時(shí)的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = -1~-3V,表示在柵源電壓作用下,器件從關(guān)態(tài)切換到開態(tài)所需的最小電壓范圍。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
NDT2955-VB是一款P-Channel MOSFET,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:
1. **電源開關(guān):** 由于其P溝道性質(zhì),可用于電源開關(guān)、電池保護(hù)等電源管理模塊。
2. **電池保護(hù):** 適用于電池管理系統(tǒng),用于保護(hù)電池免受過放電和過充電的影響。
3. **功率逆變器:** 用于構(gòu)建功率逆變器,例如在太陽(yáng)能逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中。
4. **電流控制模塊:** 適用于需要對(duì)電流進(jìn)行精確控制的應(yīng)用,例如電源電流調(diào)節(jié)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

請(qǐng)注意,在具體設(shè)計(jì)中應(yīng)仔細(xì)參考該器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)以及應(yīng)用手冊(cè),以確保正確的使用和性能。

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