型號：NTZD3154NT1G-VB
絲印：VBTA3230NS
品牌：VBsemi
參數：2個N溝道,20V,0.2A,RDS(ON),300mΩ@4.5V,350mΩ@2.5V,20Vgs(±V)；0.3Vth(V)；SC75-6
封裝：SC75-6
詳細參數說明：
- 型號：NTZD3154NT1G-VB
- 絲印：VBTA3230NS
- 品牌：VBsemi
- 溝道類型：2個N溝道
- 最大耐壓：20V
- 最大電流：0.2A
- 靜態(tài)導通電阻：300mΩ @ 4.5V, 350mΩ @ 2.5V
- 門源極電壓：20Vgs (±V)
- 閾值電壓：0.3V
應用簡介：
NTZD3154NT1G-VB是一款雙N溝道MOSFET，適用于多種低功耗電子模塊和應用，特別是在需要低電流開關和低導通電阻的情況下。
應用領域：
這種產品通常用在以下領域的模塊上：
1. 電源開關模塊：用于小功率電源管理和電流控制，如便攜式設備。
2. 信號開關模塊：用于模擬和數字信號開關和切換，如音頻信號切換器和數據選擇器。
3. 傳感器接口模塊：用于連接和管理傳感器信號，如溫度傳感器和光傳感器。
4. 低功耗應用模塊：適用于需要極低靜態(tài)功耗的電子設備，如傳感器節(jié)點和便攜式醫(yī)療設備。
5. 電池管理模塊：在低功耗設備中，可用于電池充電和放電控制。
這款器件的低電流開關特性和低導通電阻使其適用于各種低功耗應用，有助于提高電子系統(tǒng)的性能和能效。
