型號：SI2312DS-T1-GE3-VB
絲?。篤B1240
品牌：VBsemi
參數說明：
- **N溝道：** 該器件是一種N溝道MOSFET，電流在N溝道中流動，通常用于不同類型的應用，如電源開關等。
- **工作電壓（VDS）：** 20V，表示MOSFET的耐壓上限，適用于中低電壓電路。
- **持續(xù)電流（ID）：** 6A，表示MOSFET可以承受的最大電流。
- **導通電阻（RDS(ON))：** 24mΩ @ 4.5V，33mΩ @ 2.5V，8Vgs(±V)，表示MOSFET在導通狀態(tài)時的電阻，這兩個值分別對應不同的柵極電壓。
- **閾值電壓（Vth)：** 0.45~1V，表示MOSFET進入導通狀態(tài)所需的柵極電壓范圍。
- **封裝：** SOT23，這是一種小型表面貼裝封裝。
應用簡介：
N溝道MOSFET在多種領域中得到廣泛應用，包括但不限于：
1. **電源開關：** 用于電源開關電路，包括移動設備、筆記本電腦和其他電子產品中的DC-DC轉換器。
2. **電池保護：** 用于電池保護電路，以控制電池充電和放電，防止過電流和過壓。
3. **電機控制：** 用于小型電機控制，例如電動工具、風扇和模型汽車。
4. **LED驅動：** 用于LED照明應用，以提供精確的LED燈光控制。
5. **移動設備：** 在手機、平板電腦和便攜式電子設備中，用于電源管理和電池保護。
6. **電子模塊：** 用于各種類型的電子模塊，以實現(xiàn)電源開關和電流控制。
這種N溝道MOSFET適用于低電壓和低功率應用，通常用于便攜式電子設備和小型電子電路中，以提供高效的電流控制和電源管理。
