IRFR1018ETRPBF-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號：IRFR1018ETRPBF-VB
絲印：VBE1615
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- N溝道
- 最大耐壓：60V
- 最大漏電流：60A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：1.87V
- 封裝：TO252

應(yīng)用簡介：
IRFR1018ETRPBF-VB是一款N溝道場效應(yīng)晶體管，適用于高功率電子應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電阻和耐壓特性，適用于要求高電流和高功率的電子系統(tǒng)。

領(lǐng)域模塊應(yīng)用：
1. 電源開關(guān)模塊：IRFR1018ETRPBF-VB可用于電源開關(guān)應(yīng)用，如高功率電源開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換器。
2. 電機驅(qū)動器：在高功率電機驅(qū)動應(yīng)用中，它能夠提供所需的高電流和高效率。
3. 高功率放大器：適用于音頻放大器、RF放大器等高功率放大器模塊。

這些特性使IRFR1018ETRPBF-VB在高功率電子系統(tǒng)中有廣泛的應(yīng)用。