型號：STN442D-VB
絲印：VBE1638
品牌：VBsemi
參數(shù)說明：
- **N溝道：** 該器件是一種N溝道MOSFET，適用于電流在N溝道中流動的應(yīng)用。
- **工作電壓（VDS）：** 60V，表示MOSFET的耐壓上限，可用于需要較高電壓的電路。
- **持續(xù)電流（ID）：** 45A，表示MOSFET可以承受的最大電流。
- **導通電阻（RDS(ON))：** 24mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V，20Vgs(±V)，表示MOSFET在導通狀態(tài)時的電阻，這兩個值分別對應(yīng)不同的柵極電壓。
- **閾值電壓（Vth)：** 1.8V，表示MOSFET進入導通狀態(tài)所需的柵極電壓。
- **封裝：** TO252，這是MOSFET的封裝類型。
應(yīng)用簡介：
這種型號的N溝道MOSFET通常用于各種領(lǐng)域的功率電子應(yīng)用，包括但不限于：
1. **電源模塊：** 可以用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器，以提高能源效率。
2. **電機驅(qū)動器：** 用于電機控制、電動車輛和工業(yè)自動化中，以實現(xiàn)電機的高效控制。
3. **照明應(yīng)用：** 可以用于LED驅(qū)動電路、照明系統(tǒng)和調(diào)光應(yīng)用。
4. **電池管理：** 用于電池保護電路、充放電控制和電池管理系統(tǒng)。
5. **電子負載：** 用于模擬或數(shù)字電子負載，測試電源供應(yīng)器的性能。
6. **太陽能逆變器：** 用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)中，將太陽能電池板的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。
這種型號的MOSFET在高電壓和高電流應(yīng)用中具有優(yōu)異的性能，可用于多種功率電子領(lǐng)域，以提高效率和性能。
