型號(hào)：ME2323D-VB
絲?。篤B2290
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- P溝道
- 額定電壓：-20V
- 最大電流：-4A
- 開(kāi)態(tài)電阻 (RDS(ON))：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：-0.81V
- 封裝：SOT23
應(yīng)用簡(jiǎn)介：
ME2323D-VB是一款P溝道MOSFET，適用于需要低開(kāi)態(tài)電阻和低電壓的應(yīng)用。這款MOSFET可用于電源開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)、信號(hào)放大和其他需要P溝道MOSFET的電路。
主要特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域：
1. **電源開(kāi)關(guān)**：ME2323D-VB可用于電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用，尤其適用于低電壓電源，如電池供電設(shè)備。
2. **電池保護(hù)**：在電池管理系統(tǒng)中，這款MOSFET可以用于電池充放電控制和保護(hù)，確保電池組的安全運(yùn)行。
3. **信號(hào)放大**：由于其低閾值電壓和低開(kāi)態(tài)電阻，ME2323D-VB適用于信號(hào)放大和開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如放大電路和信號(hào)切換。
4. **低電壓應(yīng)用**：這款MOSFET的低電壓和低開(kāi)態(tài)電阻特性使其適用于低電壓電路設(shè)計(jì)。
總之，ME2323D-VB適用于多個(gè)領(lǐng)域，包括電源開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)、信號(hào)放大和低電壓應(yīng)用等模塊。其P溝道特性和低電壓特性使其成為處理低電壓應(yīng)用的理想選擇，同時(shí)也可用于各種需要P溝道MOSFET的電路設(shè)計(jì)。
