--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:ZXMP10A18KTC-VB
絲?。篤BE2102M
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-100V
- 最大連續(xù)電流:-10A
- 靜態(tài)開啟電阻(RDS(ON)):188mΩ @ 10V, 195mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓(Vgs):20V(±V)
- 閾值電壓(Vth):-1.77V
- 封裝類型:TO252
應(yīng)用簡介:
ZXMP10A18KTC-VB 是一款P溝道功率MOSFET,適用于需要高性能功率開關(guān)的電子應(yīng)用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域模塊:
1. **電源開關(guān)模塊**:該MOSFET可用于電源開關(guān)模塊,以實現(xiàn)高效電源的開關(guān)和調(diào)節(jié)。它適用于工業(yè)電源系統(tǒng)和高電流電源應(yīng)用。
2. **電池保護模塊**:在需要保護電池免受過放電和過充電的應(yīng)用中,ZXMP10A18KTC-VB 可用于電池保護電路,確保電池的安全運行。
3. **高壓DC-DC變換器**:在需要高電壓轉(zhuǎn)換的DC-DC變換器中,此MOSFET可用作開關(guān)器件,以幫助實現(xiàn)高電壓電能轉(zhuǎn)換。
4. **電流控制模塊**:在需要高性能電流控制的應(yīng)用中,這款MOSFET可以用于電流傳感器和電流放大器模塊。
5. **電力放大模塊**:該MOSFET可以用于音頻放大器和電力放大器等高電流高電壓模塊,以提供高性能的電力放大。
這些是一些可能用到 ZXMP10A18KTC-VB P溝道高電壓高電流MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域模塊的示例。該器件的參數(shù)使其適用于需要處理高電壓和高電流的應(yīng)用,特別是在需要低導(dǎo)通電阻的場合。在實際應(yīng)用中,請務(wù)必遵守數(shù)據(jù)手冊中的電氣規(guī)格和工作條件,以確保最佳性能和可靠性。
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