--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT23封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:DMG2301U-7-VB
絲?。篤B2290
品牌:VBsemi
參數(shù)說明:
- 極性:P溝道
- 額定電壓:-20V
- 最大連續(xù)漏極電流:-4A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):57mΩ @ 4.5V,83mΩ @ 2.5V
- 門極-源極電壓(Vgs):12V(±V)
- 開啟電壓(門極閾值電壓):-0.81V
- 封裝:SOT23
應(yīng)用簡介:
DMG2301U-7-VB是一款P溝道場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件,具有適中電流承受能力和低漏極-源極電阻,適用于多種電子應(yīng)用領(lǐng)域。
應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **電源模塊**:DMG2301U-7-VB適用于開關(guān)電源、電源管理模塊和電池保護(hù)電路,有助于提高電能轉(zhuǎn)換效率,特別適用于低電壓電源管理。
2. **電池管理**:在便攜式設(shè)備、電動工具和嵌入式系統(tǒng)中,DMG2301U-7-VB可用于電池保護(hù)和管理,確保電池的安全充放電和保護(hù)。
3. **信號開關(guān)**:這種MOSFET器件可用于信號開關(guān)、模擬開關(guān)和低功耗電路中,用于控制電路的開關(guān)和信號傳輸。
4. **便攜式設(shè)備**:DMG2301U-7-VB可用于便攜式設(shè)備的電源管理、信號開關(guān)和電池保護(hù),如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式電子設(shè)備。
5. **低功耗電子**:由于其低漏極-源極電阻和低門極閾值電壓,這種MOSFET器件可用于低功耗電子應(yīng)用,如傳感器接口、小型控制器和嵌入式系統(tǒng)。
總之,DMG2301U-7-VB是一款多功能的電子器件,適用于需要適中電流承受能力、低電阻和可靠性的各種電子應(yīng)用領(lǐng)域。它可以用于電源管理、電池保護(hù)、信號開關(guān)、便攜式設(shè)備和低功耗電子等模塊。
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