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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTGS3443T1G-VB一款P溝道SOT23-6封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): NTGS3443T1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23-6封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):NTGS3443T1G-VB
絲?。篤B8338
品牌:VBsemi
參數(shù):
- P溝道
- 額定電壓:-30V
- 最大電流:-4.8A
- 開(kāi)態(tài)電阻 (RDS(ON)):49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth):-1~-3V
- 封裝:SOT23-6

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
NTGS3443T1G-VB是一款P溝道MOSFET,適用于低電壓和中等電流的應(yīng)用,具有低開(kāi)態(tài)電阻和適中的電壓電流特性。這款MOSFET適用于需要高效能源開(kāi)關(guān)和控制的領(lǐng)域。

主要特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **電源開(kāi)關(guān)**:NTGS3443T1G-VB可用于電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如開(kāi)關(guān)電源、DC-DC變換器和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。其低開(kāi)態(tài)電阻和適中的電壓特性使其適用于處理低電壓電源。

2. **電池管理**:在電池供電系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電池充放電控制、保護(hù)和平衡,確保電池組的安全運(yùn)行。

3. **電流控制**:NTGS3443T1G-VB適用于電流控制應(yīng)用,包括電流源、電流控制器和電流放大器。它允許實(shí)現(xiàn)精確的電流調(diào)控。

4. **負(fù)極性電源管理**:在特殊應(yīng)用中,需要負(fù)極性電源管理,NTGS3443T1G-VB可以用于實(shí)現(xiàn)電源開(kāi)關(guān)和控制。

5. **電流開(kāi)關(guān)**:這款MOSFET可用于電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用,例如電流限制和保護(hù)電路。

總之,NTGS3443T1G-VB適用于多個(gè)領(lǐng)域,包括電源開(kāi)關(guān)、電池管理、電流控制、負(fù)極性電源管理和電流開(kāi)關(guān)等模塊。其P溝道特性和低開(kāi)態(tài)電阻等特性使其成為處理低電壓和中等電流應(yīng)用的理想選擇。

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