型號：IPP052NE7N3 G-VB
絲?。篤BM1808
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：80V
- 最大連續(xù)電流：100A
- 靜態(tài)開啟電阻（RDS(ON)）：7mΩ @ 10V, 9mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓（Vgs）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：2.7V
- 封裝類型：TO220
應(yīng)用簡介：
IPP052NE7N3 G-VB 是一款高電壓高電流N溝道功率MOSFET，適用于需要高性能功率開關(guān)的電子應(yīng)用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域模塊：
1. **電源開關(guān)模塊**：該MOSFET可用于高電壓高電流電源開關(guān)模塊，以實現(xiàn)高效電源的開關(guān)和調(diào)節(jié)。它適用于工業(yè)電源系統(tǒng)和高電流電源應(yīng)用。
2. **電機控制模塊**：IPP052NE7N3 G-VB 可用于高電壓高電流電機控制模塊，如電機驅(qū)動、高電壓步進電機控制和高電壓無刷直流電機驅(qū)動。
3. **電池保護模塊**：在高電壓電池供電系統(tǒng)中，此MOSFET可用于電池保護電路，以防止過放電和過充電。其高電流和電壓特性使其適用于高電壓電池系統(tǒng)。
4. **高壓DC-DC變換器**：在需要高電壓轉(zhuǎn)換的DC-DC變換器中，IPP052NE7N3 G-VB 可用作開關(guān)器件，以幫助實現(xiàn)高電壓電能轉(zhuǎn)換。
5. **電力放大模塊**：該MOSFET可以用于音頻放大器和電力放大器等高電流高電壓模塊，以提供高性能的電力放大。
這些是一些可能用到 IPP052NE7N3 G-VB N溝道高電壓高電流MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域模塊的示例。該器件的參數(shù)使其適用于需要處理高電壓和高電流的應(yīng)用，特別是在需要低導(dǎo)通電阻的場合。在實際應(yīng)用中，請務(wù)必遵守數(shù)據(jù)手冊中的電氣規(guī)格和工作條件，以確保最佳性能和可靠性。
