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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI2312CDS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

型號: SI2312CDS-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SI2312CDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產(chǎn)品,采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為20V,額定電流為6A,RDS(ON)參數(shù)為24mΩ(在4.5V下)和33mΩ(在2.5V下),以及8Vgs(±V)的電壓限制和0.45~1Vth的閾值電壓范圍。

SI2312CDS-T1-GE3廣泛適用于多個應用領域。在電子領域,它可用于電源管理、功率轉換、電機驅動和開關電路等應用。在汽車領域,它可以用于汽車電子控制單元(ECU)、車身電子系統(tǒng)和照明系統(tǒng)等應用中。此外,它還適用于工業(yè)自動化、通信設備和消費電子等領域。

對于需要使用SI2312CDS-T1-GE3的模塊,可以根據(jù)其性能特點選擇適當?shù)哪K。電源管理模塊、功率轉換模塊和電機驅動模塊是常見的使用該產(chǎn)品的模塊。此外,開關電路和信號放大模塊也可能需要使用該產(chǎn)品。根據(jù)具體應用需求,選擇適當?shù)哪K是使用SI2312CDS-T1-GE3的關鍵。
 

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