IRFB31N20DPBF-VB是VBsemi品牌的一款N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET），具有以下詳細參數(shù)說明
最大耐壓（VDS） 200V
最大電流（ID） 35A
導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） 58mΩ @ 10V, 20V Gs（±V）
閾值電壓（Vth） 3V
封裝形式 TO220
應(yīng)用簡介
IRFB31N20DPBF-VB適用于低電壓高電流應(yīng)用。它可以用于各種需要高功率開關(guān)的場景，具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力，可實現(xiàn)高效率的電源開關(guān)和電能轉(zhuǎn)換。
該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域模塊
1. 電源模塊 IRFB31N20DPBF-VB適用于各種電源模塊，包括電源逆變器、開關(guān)穩(wěn)壓電源、UPS電源等。它的低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力可提供高效、可靠的電源開關(guān)功能。
2. 驅(qū)動模塊 IRFB31N20DPBF-VB可以用于驅(qū)動單相或三相電機的驅(qū)動模塊。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻可提供高效的電機驅(qū)動功能。
3. 照明模塊 IRFB31N20DPBF-VB適用于LED照明模塊的開關(guān)。其低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力可實現(xiàn)高效率的照明控制。
總之，IRFB31N20DPBF-VB適用于涉及高電流、低電壓和高效率的各種應(yīng)用領(lǐng)域，包括電源模塊、驅(qū)動模塊和照明模塊等。
