--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 額定電壓 -40V
- 最大持續(xù)電流 -65A
- 導通電阻 10mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍 20V(正負)
- 閾值電壓 -1.6V
- 封裝 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 FDD4685-VB
絲印 VBE2412
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 P溝道
額定電壓(Vds) -40V
最大持續(xù)電流(Id) -65A
導通電阻(RDS(ON)) 10mΩ @ 10V
門源電壓范圍(Vgs) 20V(正負)
閾值電壓(Vth) -1.6V
封裝 TO252
應用簡介
FDD4685-VB是一款P溝道場效應晶體管(MOSFET),具有高電流承受能力和低導通電阻。它適用于需要高電流開關的領域,如電源開關、電機控制和電池保護。
詳細參數(shù)說明
1. 類型 這是一款P溝道MOSFET,意味著它在輸入負向電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于需要負向電壓操作的電路中。
2. 額定電壓(Vds) 它可以承受的最大漏極-源極電壓為-40V。這表示它可以在負向電壓條件下工作。
3. 最大持續(xù)電流(Id) 這款MOSFET的最大電流承受能力為-65A。負號表示電流流向是從源到漏極,這使其能夠處理高電流負載。
4. 導通電阻(RDS(ON)) RDS(ON)是導通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為10mΩ,表示在導通狀態(tài)下的功耗非常低。
5. 門源電壓范圍(Vgs) MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態(tài)。
6. 閾值電壓(Vth) 這款MOSFET的閾值電壓為-1.6V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。
7. 封裝 這款MOSFET采用TO252封裝,這是一種常見的功率封裝類型,適用于高功率電子應用。
應用領域
FDD4685-VB這款MOSFET適用于多種需要高電流開關的電子模塊和設備,包括但不限于以下領域模塊
1. 電源開關 可用于高電流電源開關,如電壓轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定。
2. 電機控制 在電機控制器中用于控制電機的速度和方向,特別是用于工業(yè)電機。
3. 電池保護 可用于電池保護電路,以確保電池不過充電或過放電,同時處理高電流。
4. 高電流負載開關 用于高電流負載的通斷控制,如電動工具、電焊機和電動車輛。
5. 電源管理 在需要高電流開關和電流控制的電源管理電路中使用,如工業(yè)控制系統(tǒng)。
總之,這款P溝道MOSFET適用于需要高電流開關的電子模塊和設備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在高電流和高功率應用中。
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