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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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FDD4685-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

型號: FDD4685-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 類型 P溝道
  • 額定電壓 -40V
  • 最大持續(xù)電流 -65A
  • 導通電阻 10mΩ @ 10V
  • 門源電壓范圍 20V(正負)
  • 閾值電壓 -1.6V
  • 封裝 TO252

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號  FDD4685-VB
絲印  VBE2412
品牌  VBsemi
參數(shù)  
 類型  P溝道
 額定電壓(Vds)  -40V
 最大持續(xù)電流(Id)  -65A
 導通電阻(RDS(ON))  10mΩ @ 10V
 門源電壓范圍(Vgs)  20V(正負)
 閾值電壓(Vth)  -1.6V
 封裝  TO252

應用簡介  
FDD4685-VB是一款P溝道場效應晶體管(MOSFET),具有高電流承受能力和低導通電阻。它適用于需要高電流開關的領域,如電源開關、電機控制和電池保護。

詳細參數(shù)說明  
1.  類型   這是一款P溝道MOSFET,意味著它在輸入負向電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于需要負向電壓操作的電路中。

2.  額定電壓(Vds)   它可以承受的最大漏極-源極電壓為-40V。這表示它可以在負向電壓條件下工作。

3.  最大持續(xù)電流(Id)   這款MOSFET的最大電流承受能力為-65A。負號表示電流流向是從源到漏極,這使其能夠處理高電流負載。

4.  導通電阻(RDS(ON))   RDS(ON)是導通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為10mΩ,表示在導通狀態(tài)下的功耗非常低。

5.  門源電壓范圍(Vgs)   MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態(tài)。

6.  閾值電壓(Vth)   這款MOSFET的閾值電壓為-1.6V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。

7.  封裝   這款MOSFET采用TO252封裝,這是一種常見的功率封裝類型,適用于高功率電子應用。

應用領域  
FDD4685-VB這款MOSFET適用于多種需要高電流開關的電子模塊和設備,包括但不限于以下領域模塊  

1.  電源開關   可用于高電流電源開關,如電壓轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定。

2.  電機控制   在電機控制器中用于控制電機的速度和方向,特別是用于工業(yè)電機。

3.  電池保護   可用于電池保護電路,以確保電池不過充電或過放電,同時處理高電流。

4.  高電流負載開關   用于高電流負載的通斷控制,如電動工具、電焊機和電動車輛。

5.  電源管理   在需要高電流開關和電流控制的電源管理電路中使用,如工業(yè)控制系統(tǒng)。

總之,這款P溝道MOSFET適用于需要高電流開關的電子模塊和設備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在高電流和高功率應用中。

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