型號 IRLR024NTRPBF-VB
絲印 VBE1695
品牌 VBsemi
參數(shù)
N溝道
額定電壓 60V
額定電流 18A
導(dǎo)通電阻 73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
額定柵極源極電壓 20Vgs (±V)
閾值電壓 2Vth (V)
封裝 TO252
詳細(xì)參數(shù)說明
IRLR024NTRPBF-VB是一款N溝道功率MOSFET，具有60V高電壓和18A高電流的額定值。其導(dǎo)通電阻為73mΩ@10V和85mΩ@4.5V，使其能夠提供低功耗和高效率的開關(guān)特性。此外，其額定柵極源極電壓為20V，閾值電壓為2V，適用于各種電氣設(shè)備的控制和開關(guān)需求。
應(yīng)用簡介
IRLR024NTRPBF-VB功率MOSFET廣泛適用于各種領(lǐng)域的電氣設(shè)備和模塊中，其主要用途包括但不限于
1. 電源供應(yīng)模塊 該MOSFET可用于設(shè)計和控制各種電源模塊，包括開關(guān)電源、直流電源和逆變器。
2. 電機驅(qū)動 適用于電機驅(qū)動模塊，如電動車、工業(yè)自動化設(shè)備和家電。
3. 照明控制 可用于LED照明控制模塊，如LED燈帶、室內(nèi)照明和汽車照明系統(tǒng)。
4. 電動汽車充電樁 用于設(shè)計和控制電動汽車充電樁模塊，實現(xiàn)高效充電和電網(wǎng)連接。
總之，IRLR024NTRPBF-VB功率MOSFET可廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域模塊，以實現(xiàn)高效能效和可靠性控制。
