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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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Si1553CDL-T1-GE3-VB-SC70-6封裝N+P溝道MOSFET

型號(hào)： Si1553CDL-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 極性 N+P溝道
  • 額定電壓 ±20V
  • 額定電流 2.5A
  • 門源電壓 20Vgs (±V)
  • 閾值電壓 ±0.6~2Vth (V)
  • 封裝類型 SC706

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

Si1553CDL-T1-GE3.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Si1553CDLT1GE3詳細(xì)參數(shù)說明  極性 N+P溝道 額定電壓 ±20V 額定電流 2.5A (N溝道), 1.5A (P溝道) 導(dǎo)通電阻 130mΩ @ 4.5V (N溝道), 230mΩ @ 4.5V (P溝道), 160mΩ @ 2.5V (N溝道), 280mΩ @ 2.5V (P溝道) 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 ±0.6~2Vth (V) 封裝類型 SC706應(yīng)用簡介 Si1553CDLT1GE3是一款集成有N和P溝道MOSFET的器件，適用于電源管理和功率放大器等多種應(yīng)用。它具有正負(fù)額定電壓和額定電流特性，能夠提供可靠且高效的電流開關(guān)功能。通過控制20Vgs (±V)的門源電壓，可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)管的導(dǎo)通和截止，實(shí)現(xiàn)電流的控制和開關(guān)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。其較低的導(dǎo)通電阻可以降低功耗，并提高系統(tǒng)的效率。Si1553CDLT1GE3采用SC706封裝，適用于各種電路板和模塊中使用。該器件廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)、電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等多個(gè)領(lǐng)域。由于其正負(fù)額定電壓和額定電流特性，Si1553CDLT1GE3特別適用于需要同時(shí)控制正負(fù)電壓的電路應(yīng)用。在這些領(lǐng)域中，它能夠提供可靠的功率開關(guān)控制和電流傳輸?？傊?，Si1553CDLT1GE3是一款集成有N和P溝道MOSFET的器件，適用于電源管理和功率放大器等多種應(yīng)用模塊。特別適用于需要同時(shí)控制正負(fù)電壓的領(lǐng)域，如電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。
 

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