型號 MMBF170LT1G絲印 VB162K品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 N溝道 額定電壓(VDS) 60V 額定電流(ID) 0.3A 開通電阻(RDS(ON)) 2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V 閾值電壓(Vth) 1.6V 封裝類型 SOT23應(yīng)用簡介 這款MMBF170LT1G MOSFET是一款低功率N溝道MOSFET，適用于低功率應(yīng)用場景。它具有較低的工作電流和較高的額定電壓，適用于低功率開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。這款MOSFET可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域的模塊 電池管理模塊 用于低功率電池充放電保護(hù)、電池管理系統(tǒng)等低功率電池應(yīng)用。 小功率開關(guān)模塊 用于低功率開關(guān)電路、低功率開關(guān)控制等低功率應(yīng)用。 照明模塊 用于低功率LED驅(qū)動、照明開關(guān)和控制電路等。 消費(fèi)電子模塊 用于低功率消費(fèi)電子產(chǎn)品中的功率管理和開關(guān)模塊。總之，MMBF170LT1G MOSFET適用于需要低功率N溝道MOSFET的各種應(yīng)用場景，特別適用于低功率應(yīng)用的模塊。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 額定電壓(VDS) 60V
- 額定電流(ID) 0.3A
- (RDS(ON)) 2800mΩ@10V, 3000mΩ@
- 閾值電壓(Vth) 1.6V
- 封裝類型 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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