型號(hào) SI2307DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 P溝道 額定電壓(VDS) 30V 額定電流(ID) 5.6A 開通電阻(RDS(ON)) 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V 閾值電壓(Vth) 1V 封裝類型 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 這款SI2307DST1GE3 MOSFET是一款低壓P溝道MOSFET，適用于低壓應(yīng)用場(chǎng)景。它具有較低的額定電壓和額定電流，適用于低功率開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。這款MOSFET可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域的模塊 電源管理模塊 用于低壓開關(guān)電源、DCDC變換器、逆變器等低功率電源模塊。 電池管理模塊 用于低壓電池充放電保護(hù)、電池管理系統(tǒng)等低功率電池應(yīng)用。 小功率開關(guān)模塊 用于低壓開關(guān)電路、低功率開關(guān)控制等低功率應(yīng)用。 消費(fèi)電子模塊 用于低壓低功率的消費(fèi)電子產(chǎn)品中的功率管理和開關(guān)模塊?？傊琒I2307DST1GE3 MOSFET適用于需要低壓低功率P溝道MOSFET的各種應(yīng)用場(chǎng)景，提供穩(wěn)定可靠的電流控制和低功率轉(zhuǎn)換功能，特別適用于低壓低功率應(yīng)用的模塊。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 額定電壓(VDS) 30V
- 額定電流(ID) 5.6A
- (RDS(ON)) 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V
- 閾值電壓(Vth) 1V
- 封裝類型 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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