型號 RSD050N10TL絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 115mΩ @10V, 121mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡介 RSD050N10TL是一款N溝道MOSFET，適用于高壓和大電流的應(yīng)用。其最大耐壓為100V，最大電流為18A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個領(lǐng)域的模塊設(shè)計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于高壓電源開關(guān)和DCDC變換器等。2. 電機(jī)驅(qū)動模塊 可用于驅(qū)動大功率電機(jī)和汽車驅(qū)動系統(tǒng)。3. 高壓負(fù)載開關(guān)模塊 適用于高壓負(fù)載開關(guān)和電源控制器。總之，RSD050N10TL適用于高壓和大電流應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計，包括電源管理、電機(jī)驅(qū)動和高壓負(fù)載開關(guān)模塊等。
RSD050N10TL-VB-TO252封裝溝道MOSFET
型號：
RSD050N10TL-VB
品牌：
VBsemi(微碧)
