--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 最大耐壓 100V
- 最大電流 3.2A
- 導通電阻 100mΩ @10V, 127mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 2~4Vth
- 封裝 SOT236
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 FDC3512絲印 VB7101M品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 3.2A 導通電阻 100mΩ @10V, 127mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 2~4Vth 封裝 SOT236應用簡介 FDC3512是一款N溝道MOSFET,適用于低壓和中等電流的應用。其最大耐壓為100V,最大電流為3.2A,具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計,主要包括 1. 電源管理模塊 適用于低壓電源管理和負載開關控制。2. 電流控制模塊 可用于電流調(diào)節(jié)和負載開關控制。3. 消費電子產(chǎn)品 適用于電池供電設備和便攜式電子產(chǎn)品等??傊現(xiàn)DC3512適用于低壓和中等電流應用領域的模塊設計,包括電源管理、電流控制和消費電子產(chǎn)品等。
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