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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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FDC5661N-VB-SOT23-6封裝N溝道MOSFET

型號(hào): FDC5661N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 極性 N溝道
  • 額定電壓 60V
  • 導(dǎo)通電阻 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V
  • 門源電壓 20Vgs (±V)
  • 閾值電壓 1~3Vth (V)
  • 封裝類型 SOT23-6

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FDC5661N詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 
- 極性 N溝道
- 額定電壓 60V
- 額定電流 7A
- 導(dǎo)通電阻 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 1~3Vth (V)
- 封裝類型 SOT23-6

應(yīng)用簡(jiǎn)介 
FDC5661N是一款N溝道MOSFET,具有較高的額定電壓和額定電流,適合在各種電源管理和功率放大器應(yīng)用中使用。它的低導(dǎo)通電阻和高性能特性使其在高負(fù)載和高頻率應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠提供可靠而高效的電流開關(guān)功能。

該器件具有1~3Vth的閾值電壓范圍,可以通過(guò)控制20Vgs (±V)的門源電壓,實(shí)現(xiàn)開關(guān)管的導(dǎo)通和截止,實(shí)現(xiàn)電流的控制和開關(guān)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻能夠降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。

FDC5661N采用SOT23-6封裝,封裝小巧,適合在空間有限的應(yīng)用場(chǎng)景中使用。

該器件廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)、電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、LED照明電路等領(lǐng)域。通過(guò)其低導(dǎo)通電阻和高性能特性,可以提供高效、可靠的功率開關(guān)控制。其小巧的封裝使其尤其適合在緊湊型電路板和模塊中應(yīng)用。

總之,F(xiàn)DC5661N是一款高性能的N溝道MOSFET,適用于電源管理和功率放大器的各種應(yīng)用模塊中,特別是在電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和LED照明電路等領(lǐng)域。
 

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