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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXMN3A01F N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： ZXMN3A01F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) ZXMN3A01F
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMN3A01F 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXMN3A01F新一代 TRENCH MOSFET 采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，結(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的優(yōu)點(diǎn)。這使得它們非常適合高效率、低電壓、電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    ZXMN3A01F
名稱                    N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.8 A
PD @TA = +25°C (W) 0.625 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 120 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 180 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.3 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3.9 nC
CISS Typ (pF) 190 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
快速切換速度
低閾值
低門驅(qū)動(dòng)器
小型表面安裝封裝


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