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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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NMSD200B01 肖特基二極管 MOSFET 同步整流器

型號： NMSD200B01

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 NMSD200B01
  • 名稱 肖特基二極管 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT-363

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NMSD200B01 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 NMSD200B01NMSD200B01提高了DC-DC的效率和可靠性電壓調(diào)節(jié)器模塊（VRM）中使用的控制器支持200mA的連續(xù)最大電流。它具有ESD功能受保護(hù)的離散N-MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻和離散具有低正向壓降的肖特基二極管。
該設(shè)備減少了組件數(shù)量，占用的空間更少，并且最大限度地減少寄生損耗。組件設(shè)備可以用作電路的一部分或作為獨(dú)立的分立設(shè)備。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    NMSD200B01
名稱                    肖特基二極管 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                     SOT-363


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+SKY
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
PD @TA = +25°C (W) 0.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3000@5V mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
CISS Typ (pF) <=50 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
帶ESD柵極保護(hù)的N-MOSFET
具有低導(dǎo)通電阻（RDS（On））的N-MOSFET
低Vf肖特基二極管
低靜態(tài)、開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
良好的動態(tài)性能
適用于自動裝配的表面安裝封裝


相關(guān)型號
MMBF170
MMBF170Q
NMSD200B01
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VN10LP
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ZVN4310G
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ZVNL120A
ZVNL120G
ZVP0545A
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ZVP1320F
ZVP1320FQ
ZVP2106A
ZVP2106G
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ZVP2120A
ZVP2120G
ZVP3306A
ZVP3306F
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ZVP4424A
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ZVP4424Z
ZVP4525E6
ZVP4525G
ZVP4525GQ
ZVP4525Z
ZXM61N02F
ZXM61N03F
ZXM61P02F
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