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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH69M8LFVW 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMTH69M8LFVW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH69M8LFVW
  • 名稱 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®3333-8 (SWP) (Type UX

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH69M8LFVW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH69M8LFVW 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    DMTH69M8LFVW
名稱                    60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    PowerDI?3333-8 (SWP) (Type UX)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15.9 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 45.4 A
PD @TA = +25°C (W) 3.6 W
PD @TC = +25°C (W) 29.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 33.5 nC
CISS Typ (pF) 1925 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
額定溫度為 +175°C——高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測試 — 確保最終應(yīng)用更可靠、更穩(wěn)健
低導(dǎo)通電阻
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
用于改進光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面


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