--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMTH6002LPSWQ
- 名稱 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 PowerDI®5060-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH6002LPSWQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準,并由 PPAP 支持。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMTH6002LPSWQ
名稱 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI?5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 190 A
PD @TA = +25°C (W) 3.13 W
PD @TC = +25°C (W) 190 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 68 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 131 nC
CISS Typ (pF) 8289 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度
環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 –
確保最終應用更加可靠和穩(wěn)健
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關速度快
用于改進光學檢測的可潤濕側(cè)面
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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