--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMT6012LFDF
- 名稱 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 U-DFN2020-6 (Type F)
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT6012LFDF 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低電阻(RDS(ON))同時保持優(yōu)異的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMT6012LFDF
名稱 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 U-DFN2020-6 (Type F)
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
PD @TC = +25°C (W) 11 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 21 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.6 nC
CISS Typ (pF) 785 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
生產(chǎn)中的100%無阻尼感應(yīng)開關(guān)(UIS)測試--
確保更加可靠和穩(wěn)健的最終應(yīng)用程序
0.6mm輪廓——適用于低輪廓應(yīng)用
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低導(dǎo)通電阻
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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