DMNH6065SPDWQ 60V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMNH6065SPDWQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMNH6065SPDWQ
名稱 60V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMNH6065SPDWQ 這種 MOSFET 在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，并由 PPAP 支持。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMNH6065SPDWQ
名稱 60V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 PowerDI?5060-8

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 27 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
PD @TC = +25°C (W) 68 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 65 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 79 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 9.5 nC
CISS Typ (pF) 466 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

主要特征
額定溫度為 +175°C — 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
低輸入電容
用于改進(jìn)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面

相關(guān)型號(hào)
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DMP2010UFG
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