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DMN31D4UFZ N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN31D4UFZ

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN31D4UFZ
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 X2-DFN0606-3

--- 產品詳情 ---

DMN31D4UFZ  

產品簡介
DIODES 的 DMN31D4UFZ 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其成為理想之選，用于高效電源管理應用。

 

產品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN31D4UFZ
名稱                N 溝道增強型 MOSFET
產地                臺灣
封裝                 X2-DFN0606-3

 

產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.31 A
PD @TA = +25°C (W) 0.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 3000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.3 nC
CISS Typ (pF) 15.4 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
低封裝外形，最大封裝高度0.4mm
0.62mm x 0.62mm封裝外形
低導通電阻
極低柵極閾值電壓，最大1.0V
ESD保護門

 

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