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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2450UFB4Q 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2450UFB4Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2450UFB4Q
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X2-DFN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2450UFB4Q 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2450UFB4Q這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2450UFB4Q
名稱               N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               X2-DFN1006-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1 A
PD @TA = +25°C (W) 0.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 700 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.3 nC

 

主要特征
占地面積僅為 0.6mm2 – 比 SOT23 小十三倍
0.4 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
低柵極閾值電壓
開關(guān)速度快
ESD保護柵極


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