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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN2100UDM 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN2100UDM

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2100UDM
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2100UDM

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2100UDM 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低現(xiàn)場(chǎng)電阻（RDS（on）），同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2100UDM
名稱               N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4 A
PD @TA = +25°C (W) 1.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 55 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 70 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 90 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.6 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8 nC
CISS Typ (pF) 555 pF

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
切換速度快
ESD保護(hù)門


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