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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2028UFU 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2028UFU

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2028UFU
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2030-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2028UFU

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2028UFU 這種新一代MOSFET設(shè)計用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2028UFU
名稱               N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               U-DFN2030-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 20.2 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 23.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 30 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18.4 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 887 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快


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