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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMG4822SSD 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMG4822SSD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMG4822SSD
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SO-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG4822SSD 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMG4822SSD 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為使導(dǎo)通電阻最小化（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其高效電源管理應(yīng)用的理想選擇

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMG4822SSD
名稱            雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            SO-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
PD @TA = +25°C (W) 1.42 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 31 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.5 nC
CISS Typ (pF) 479 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
低輸入/輸出泄漏
低柵極電阻
開(kāi)關(guān)速度快


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