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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXTP2008G PNP 低飽和 晶體管

型號： ZXTP2008G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXTP2008G
  • 名稱 PNP低飽和晶體管
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SMD/DIP

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTP2008G

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTP2008G（PNP、30V、5.5A、SOT223）這款新型低飽和 30V PNP 晶體管采用 SOT223 封裝，具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗，非常適合用于 DC-DC 電路以及各種驅(qū)動和電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌       DIODES
型號      ZXTP2008G
名稱      PNP低飽和晶體管
產(chǎn)地       臺灣
封裝       SMD/DIP

 

主要特征
bvco>-30伏
IC=5.5A連續(xù)集電極電流
ICM=-20A峰值脈沖電流
低飽和電壓VCE（SAT）<1A時最大<-60mV
RSAT=31米? @ -5.5A用于低等效導(dǎo)通電阻
低至-10mA的卓越增益線性
hFE規(guī)定高達-20A用于高增益保持
無鉛飾面；符合RoHS（注1和2）
不含鹵素和銻?！熬G色”裝置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

 

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