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ZXTN2011G 低飽和 晶體管

型號： ZXTN2011G

--- 產品參數 ---

  • 符合 AEC 標準 是的
  • 合規(guī)性 汽車
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 100
  • IC (A) 6
  • ICM (A) 10
  • PD (W) 3
  • fT (MHz) 130
  • RCE(sat) 36

--- 產品詳情 ---

ZXTN2011G 

 
產品簡介
DIODES 的 ZXTN2011G這款新型低飽和 100V NPN 晶體管采用 SOT223 封裝，具有極低的導通狀態(tài)損耗，非常適合用于 DC-DC 電路以及各種驅動和電源管理功能。

 

產品規(guī)格 
符合 AEC 標準  是的
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 汽車
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 6
ICM (A) 10
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 30
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 35
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 125
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 36

 

主要特征
bvco>100伏
IC=6A連續(xù)集電極電流
ICM=10A峰值脈沖電流
低飽和電壓VCE（sat）<1A時最大<65mV
對于低等效導通電阻，RSAT=36mΩ@Ic=6A
hFE規(guī)定高達10A用于高增益保持
無鉛飾面；符合RoHS（注1和2）
不含鹵素和銻?！熬G色”裝置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性標準

 

相關型號
ZXTN19100CG
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ZXTN2010G
ZXTN2010Z
ZXTN2010ZQ
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