MAX15050/MAX15051高效開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器在0.6V至(0.9 x VIN)輸出電壓范圍內(nèi)可提供高達(dá)4A的負(fù)載電流。器件工作電壓為2.9V至5.5V，非常適合板載負(fù)載點(diǎn)和后置穩(wěn)壓系統(tǒng)。在整個(gè)負(fù)載、電源電壓和溫度變化范圍內(nèi)，輸出電壓總精度保持在±1%以?xún)?nèi)。
MAX15050/MAX15051采用1MHz固定頻率PWM工作模式。MAX15050具有跳脈沖模式，可提高輕載條件下的效率。MAX15050在單調(diào)軟啟動(dòng)后，根據(jù)輸出負(fù)載電流情況選擇工作在強(qiáng)制PWM模式或跳脈沖模式。MAX15051單調(diào)軟啟動(dòng)后，工作在強(qiáng)制PWM模式。較高的工作頻率允許采用小尺寸外部元件。
片內(nèi)低阻nMOS開(kāi)關(guān)保證在重載下具有高效率，并將寄生電感降至最小，與分立方案相比，大大簡(jiǎn)化了布局。簡(jiǎn)單的布局和封裝可確保新設(shè)計(jì)的一次通過(guò)率。
MAX15050/MAX15051采用寬帶(> 26MHz)電壓誤差放大器。電壓模式控制架構(gòu)和電壓誤差放大器允許使用III型補(bǔ)償機(jī)制，從而獲得最大的環(huán)路帶寬(高達(dá)200kHz)。較寬的環(huán)路頻帶能夠支持快速瞬態(tài)響應(yīng)，只需較小的輸出電容，并允許采用全陶瓷電容設(shè)計(jì)。
MAX15050/MAX15051在高邊和低邊MOSFET上均具有打嗝式輸出過(guò)載保護(hù)和峰值電流限制，發(fā)生短路、嚴(yán)重過(guò)載時(shí)，或在具有大電解電容的轉(zhuǎn)換器中，能夠確保安全工作。
MAX15050/MAX15051具有可調(diào)輸出電壓。輸出電壓可通過(guò)反饋端的2個(gè)外部電阻調(diào)整，或者在REFIN/SS輸入施加外部基準(zhǔn)電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)。MAX15050/MAX15051提供可編程軟啟動(dòng)時(shí)間，通過(guò)電容設(shè)置，以減小輸入浪涌電流。內(nèi)置熱關(guān)斷保護(hù)功能確保在任何條件下安全工作。MAX15050/MAX15051采用2mm x 2mm、16焊球(4 x 4陣列)、0.5mm焊球間距的WLP封裝。
應(yīng)用
- ASIC/CPU/DSP核與I/O供電
- 基站電源
- DDR電源
- 負(fù)載點(diǎn)
- 便攜式應(yīng)用
- RAID控制電源
- 服務(wù)器電源
- 電信與網(wǎng)絡(luò)電源
- 內(nèi)部18mΩ RDS(ON) MOSFET
- 跳脈沖模式在輕載條件下可實(shí)現(xiàn)高效率(MAX15050)
- 4A連續(xù)輸出電流
- 在整個(gè)負(fù)載、電源電壓和溫度變化范圍內(nèi)，輸出電壓精度保持在±1%
- 工作在2.9V至5.5V電壓
- 0.6V至(0.9 x VIN)可調(diào)輸出電壓
- 可調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)減小浪涌電流
- 工廠校準(zhǔn)的1MHz開(kāi)關(guān)頻率
- 兼容陶瓷、聚合物和電解輸出電容
- 安全啟動(dòng)至預(yù)偏置輸出
- 使能輸入/電源就緒輸出
- 過(guò)流和過(guò)熱完全保護(hù)
- 打嗝式過(guò)載保護(hù)
- DDR應(yīng)用中吸入/源出電流
- 2mm x 2mm、16焊球(4 x 4陣列)、0.5mm焊球間距的WLP封裝
LT1766
MAX1776
MAX1821
LTC1875
MAX1836
MAX1837
LT1616
LTC3404
MAX1843
LTC1878
MAX1733
MAX1734
MAX1742
MAX1842
LT1959
LTC1701
LTC1701B
LTC1877
LT1767
LTC1707
LTC1779
MAX1644
MAX638
