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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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UF3SC120009K4S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

型號： UF3SC120009K4S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • VDS 最大值(V) 1,200
  • RDS(on) 9
  • 內(nèi)徑最大值(A) 120
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質(zhì) 是的
  • 包裝類型 TO-247-4L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

UF3SC120009K4S

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3SC120009K4S 1200 V、8.6 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設(shè)計。該器件采用 TO-247-4L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，非常適合開關(guān)電感負(fù)載和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 9
內(nèi)徑最大值(A) 120
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 TO-247-4L

 

主要特征
導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：8.6 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
優(yōu)秀的反向恢復(fù)
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護(hù)，HBM 2 級

 

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