--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最小脈沖寬度 74 ns
- 工作結(jié)溫范圍 −40°C 至 +150°C
- 封裝 SOIC-28
--- 產(chǎn)品詳情 ---
ADuM4138 是一款已針對(duì)絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。ADI 公司的 iCoupler? 技術(shù)在輸入信號(hào)和輸出柵極驅(qū)動(dòng)器之間實(shí)現(xiàn)隔離。
ADI 公司的芯片級(jí)變壓器還可在芯片的高電壓域和低電壓域之間實(shí)現(xiàn)隔離式控制信息通信??梢詮膶iT的輸出中回讀有關(guān)芯片狀態(tài)的信息。
ADuM4138 包含隔離式反激控制器,可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的二次電壓生成。
ADuM4138 中集成了過流檢測(cè)功能,可在發(fā)生去飽和事件和/或過流事件的情況下保護(hù) IGBT。在發(fā)生故障的情況下,過流檢測(cè)可與高速兩級(jí)關(guān)閉功能相結(jié)合。
ADuM4138 為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 提供一個(gè)米勒箝位控制信號(hào),可在使用單軌電源的情況下在米勒箝位電壓閾值降至低于 GND2 以上 2 V 時(shí)實(shí)現(xiàn) IGBT 關(guān)閉。可以在進(jìn)行或不進(jìn)行米勒箝位操作的情況下使用單極次級(jí)電源工作。
如果開啟后柵極電壓未在允許的時(shí)間內(nèi)(通常為 12.8 μs)上升到內(nèi)部閾值以上,低柵極電壓檢測(cè)電路可觸發(fā)故障。低電壓檢測(cè)電路可檢測(cè)導(dǎo)致柵極短路或弱驅(qū)動(dòng)的 IGBT 器件故障。
通過兩個(gè)溫度傳感器引腳 TS1 和 TS2,可以在 IGBT 處對(duì)系統(tǒng)溫度進(jìn)行隔離式監(jiān)控。次級(jí)欠壓鎖定 (UVLO) 依照公共 IGBT 閾值水平設(shè)置為 11.2 V(典型值)。
器件初級(jí)側(cè)的串行外設(shè)接口 (SPI) 總線為 ADuM4138 提供溫度感應(yīng)二極管增益和偏移的場(chǎng)內(nèi)編程功能。值存儲(chǔ)在器件次級(jí)端的電子可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM) 中。此外,可以對(duì)特定的 VDD2 電壓、溫度感應(yīng)報(bào)告頻率和過流消隱時(shí)間進(jìn)行編程。
ADuM4138 可為過流事件、遠(yuǎn)程溫度過熱事件、UVLO、熱關(guān)斷 (TSD) 和去飽和檢測(cè)提供隔離式故障報(bào)告。
應(yīng)用
- MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 光伏 (PV) 逆變器
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
- 電源
- 6 A 峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力(典型值)
- 內(nèi)部關(guān)閉 NFET,導(dǎo)通電阻:<1 Ω
- 內(nèi)部打開 PFET,導(dǎo)通電阻:<1.2 Ω
- 2 種過流保護(hù)方法
- 去飽和檢測(cè)
- 分裂式發(fā)射器過流保護(hù)
- 具有柵極感應(yīng)輸入的米勒箝位輸出
- 隔離式故障輸出
- 隔離式溫度傳感器回讀
- 傳播延遲
- 上升:95 ns(典型值)
- 下降:100 ns(典型值)
- 最小脈沖寬度:74 ns
- 工作結(jié)溫范圍:?40°C 至 +150°C
- VDD1 和 VDD2 UVLO
- 最小外部跟蹤(爬電距離):8.3 mm(待定)
- 安全和監(jiān)管審批
- 5000 V rms 持續(xù) 1 分鐘,符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)
- CSA 元件驗(yàn)收通知 5A
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
- VIORM = 849 VPEAK(增強(qiáng)/基本)
- 符合汽車應(yīng)用要求
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