產(chǎn)品簡介
被動鎖模技術(shù)由于便于組裝， 操作簡單等優(yōu)點， 已被人們廣泛的應(yīng)用于各類激光腔中來產(chǎn)生超短脈沖串。Eachwave專業(yè)提供被動鎖模器件BATOP半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SESAM：可飽和吸收鏡（SAM） ，可被安裝在寬譜激光腔中進行模式鎖定。通過可飽和吸收體的損耗機制，連續(xù)激光器中雜亂的多脈沖可以被調(diào)制成有規(guī)律的超短脈沖串。
可飽和吸收體在強光下被漂白，可以使大部分腔內(nèi)能量通過可飽和吸收體到達反射鏡，并再次反射回激光腔中；在弱光下，表現(xiàn)為吸收未飽和的特性，吸收掉所有入射光，有效的把這部分弱光從激光腔中去除掉，表現(xiàn)了調(diào) Q 鎖模的抑制作用。而且由于吸收掉了脈沖前沿部分，脈沖寬度在反射過程中會逐漸變窄。
Eachwave推出的BATOP半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SESAM包含一個布拉格反射鏡（Bragg-mirror）生長在基底上（如GaAs晶圓），然后可飽和吸收層做在布拉格反射鏡上。盡管半導(dǎo)體可飽和吸收鏡已經(jīng)被廣泛的用于各種激光腔中進行模式鎖定，但是SAM的應(yīng)用還是要根據(jù)具體情況被精確地設(shè)計，如不同的激光器具有不同損耗，增益譜，腔內(nèi)功率等等，可飽和吸收體的參數(shù)都需要跟這些參數(shù)相匹配。
BATOP 是激光被動鎖模器件-可飽和吸收體的專業(yè)供應(yīng)商。可飽和吸收產(chǎn)品集合了各式各樣的不同的器件，包括可飽和吸收鏡(SESAM)，可飽和輸出耦合鏡(SOC)，共振可飽和吸收鏡RSAM，可飽和噪聲抑制器SANOS，和用于透過應(yīng)用的可飽和吸收體(SA)。迄今為止，可飽和吸收產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了800nm到2.6μm的常用激光波長范圍；封裝形式多樣，可適用于不同激光系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SESAM產(chǎn)品
Wavelength region 790 nm ... 830 nm: 800 nm
Wavelength region 910 nm ... 990 nm: 940 nm | 980 nm
Wavelength region 1020 nm ... 1150 nm: 1040 nm | 1064 nm | 1100 nm
Wavelength region 1110 nm ... 1320 nm: 1150 nm | 1300 nm
Wavelength region 1320 nm ... 1460 nm: 1340 nm | 1420 nm
Wavelength region 1470 nm ... 1660 nm: 1510 nm | 1550 nm | 1645 nm
Wavelength region 1900 nm ... 3200 nm: 2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm
半導(dǎo)體可飽和吸收鏡的不同封裝形式
規(guī)格型號： | 描述 |
SAM-λ-A-τ-x | λ=波長，A=吸收率，τ=弛豫時間，x=封裝形式 |
x =4.0-0 | ?裸芯片，芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm |
x = 1.0b-0 | ?一盒，4個裸芯片，芯片尺寸1.0 mm x 1.0 mm |
x = 1.3b-0 | ?一盒，4個裸芯片，芯片尺寸1.3mm x 1.3 mm |
x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e | ?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直徑12.7 mm的銅散熱基底 ?中心安裝：x = 4.0-12.7g-c ?邊緣安裝：x = 4.0-12.7g-e |
x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e | ?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直徑12.7 mm的銅散熱基底 ?中心安裝：x = 4.0-12.7s-c ?邊緣安裝：x = 4.0-12.7s-e |
x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e | ?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直徑25.0mm的銅散熱基底 ?中心安裝：x = 4.0-25.0g-c ?邊緣安裝：x = 4.0-25.0g-e |
x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e | ?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直徑25.0mm的銅散熱基底 ?中心安裝：x = 4.0-25.0s-c ?邊緣安裝：x = 4.0-25.0s-e |
x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e | ?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直徑25.4mm的銅散熱基底 ?中心安裝：x = 4.0-25.4g-c ?邊緣安裝：x = 4.0-25.4g-e |
x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e | ?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直徑25.4mm的銅散熱基底 ?中心安裝：x = 4.0-25.4s-c ?邊緣安裝：x = 4.0-25.4s-e |
x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e | ?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm，焊接在水冷銅散熱片上，直徑25.0 mm ?中心安裝：x = 4.0-25.0w-c ?邊緣安裝：x = 4.0-25.0w-e |
x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e | ?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，薄膜焊接在水冷銅散熱器上，直徑25.0 mm，適用于高功率應(yīng)用。 ?中心安裝：x = 4.0-25.0h-c ?邊緣安裝：x = 4.0-25.0h-e |
x = FC/PC或者 FC/APC | ?安裝在1米長的單模光纖上。 ?可用光纖：HI 980，HI 1060，Panda SM98-PS-U25A ?FC / PC接頭：x = FC / PC ?FC / APC接頭：x = FC / APC |
訂購示例 | SAM-1064-2-1ps-4.0-0，SAM-1064-2-1ps-FC/PC- HI1060 |
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附件： |
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FM-1.3 | 1.3芯片專用散熱底座 |
PHS | 光纖耦合封裝專用散熱底座 |
>> 裸片SAM
| 標(biāo)準(zhǔn) | 可選項 | |
| GaAs芯片尺寸 | 4mm×4mm | 其他尺寸可選 |
| 芯片厚度 | 400um | 150um |
| 芯片背面 | 原切/磨砂 | 拋光可選 |
| SESAM正面鍍保護電解質(zhì)膜 | ||
? GaAs 芯片尺寸：1 mm x 1 mm 或1.3 mm x 1.3 mm
? 芯片厚度：450 μm
? 芯片背面 ：原切/磨砂
? SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜
? SAM與FC/PC接口的光纖頭之間的鏈接可以輕松拆卸，利用這個封裝，可以在一臺激光器上就實現(xiàn)測試多個SAM性能的目的。
? 當(dāng)SAM表面有不幸損傷，可以輕松換芯片，所以再次實驗可以用同樣的的SAM芯片。
>> 帶有散熱底座的自由空間可飽和吸收鏡SAM
? GaAs 芯片尺寸 4 mm x 4 mm
? 芯片厚度 450 μm 150um可選
? 芯片背面 原切/磨砂
? SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜
? SESAM 固定在半英寸/一英寸的Cu底座上
>> 帶有水冷封裝的可飽和吸收鏡SAM
? GaAs 芯片尺寸： 4 mm x 4 mm
? 芯片厚度 ：450 μm
? 芯片背面：原切/磨砂
? SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜
? SESAM 鍍金的Cu底座上，并帶有水冷裝置
>> 帶有光纖封裝的可飽和吸收鏡SAM
? GaAs 芯片尺寸： 4 mm x 4 mm
? 芯片厚度 ：450 μm
? SAM芯片用膠粘在一個單模光纖一端，光纖接頭FC/APC，其他接頭類型可選
