MA4E2532L-1113
醫(yī)學(xué)。Barrier Si Ring Quad
MA4E2532-1113 系列 SURMOUNTTM 中低勢壘硅肖特基環(huán)形四極二極管采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造。HMIC? 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質(zhì)中的導(dǎo)體構(gòu)成，玻璃電介質(zhì)充當(dāng)?shù)蜕?、低損耗的微帶傳輸介質(zhì)。硅和玻璃的結(jié)合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設(shè)備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應(yīng)與芯片的卓越機(jī)械性能相結(jié)合的電路的絕佳選擇。Surmount 結(jié)構(gòu)采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點(diǎn)連接到芯片底面上的金屬化安裝墊。這些設(shè)備是可靠的、可重復(fù)的，并且是比傳統(tǒng)設(shè)備成本更低的解決方案。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。
醫(yī)學(xué)。Barrier Si Ring Quad
MA4E2532-1113 系列 SURMOUNTTM 中低勢壘硅肖特基環(huán)形四極二極管采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造。HMIC? 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質(zhì)中的導(dǎo)體構(gòu)成，玻璃電介質(zhì)充當(dāng)?shù)蜕?、低損耗的微帶傳輸介質(zhì)。硅和玻璃的結(jié)合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設(shè)備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應(yīng)與芯片的卓越機(jī)械性能相結(jié)合的電路的絕佳選擇。Surmount 結(jié)構(gòu)采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點(diǎn)連接到芯片底面上的金屬化安裝墊。這些設(shè)備是可靠的、可重復(fù)的，并且是比傳統(tǒng)設(shè)備成本更低的解決方案。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結(jié)時(shí)采用的多層金屬化包括鉑擴(kuò)散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進(jìn)行 16 小時(shí)的非工作穩(wěn)定烘烤?！?505”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結(jié)時(shí)采用的多層金屬化包括鉑擴(kuò)散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進(jìn)行 16 小時(shí)的非工作穩(wěn)定烘烤?！?505”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結(jié)時(shí)采用的多層金屬化包括鉑擴(kuò)散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進(jìn)行 16 小時(shí)的非工作穩(wěn)定烘烤?！?505”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。
特征
- 極低的寄生電容和電感
- 降低對 ESD 損壞的敏感性
- 具有擴(kuò)散屏障的可靠多層金屬化，100% 穩(wěn)定烘烤（300°C，16 小時(shí)）
- 具有聚酰亞胺防刮擦保護(hù)的堅(jiān)固 HMIC 結(jié)構(gòu)
- 可在微波電路中進(jìn)行表面貼裝，無需引線鍵合
產(chǎn)品規(guī)格
零件號
MA4E2532L-1113
描述
醫(yī)學(xué)。Barrier Si Ring Quad
Vf(V)
0.4400
Vb
5.00
總電容(pF)
0.180
動態(tài)電阻（歐姆）
16.0
結(jié)電容(pF)
0.160
包裹類別
表面貼裝模具
包裹
ODS-1113
