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TI磁傳感器DRV5012

--- 產(chǎn)品詳情 ---

低功耗（低至 3.3μA）、低電壓（最高 5.5V）霍爾效應(yīng)鎖存器
Type Latch
Supply voltage (Vcc) (Min) (V) 1.65
Supply voltage (Vcc) (Max) (V) 5.5
Operate point (Max) (mT) 3.3
Release point (Min) (mT) -3.3
Output Push-pull output driver
Operating temperature range (C) -40 to 85
  • 行業(yè)領(lǐng)先的低功耗特性
  • 可通過引腳選擇的采樣率：
    • SEL = 低電平：使用 1.3μA (1.8V) 時為 20Hz
    • SEL = 高電平：使用 142μA (1.8V) 時為 2.5kHz
  • VCC 工作電壓范圍為 1.65V 至 5.5V
  • 高磁性靈敏度：±2mT（典型值）
  • 可靠磁滯：4mT（典型值）
  • 推挽式 CMOS 輸出
  • 小型纖薄 X2SON 封裝
  • 運行溫度范圍：–40°C 至 +85°C

DRV5012 器件是可通過引腳選擇采樣率的超低功耗數(shù)字鎖存器霍爾效應(yīng)傳感器。 ?

當南磁極靠近封裝頂部并且超出 BOP 閾值時，該器件會驅(qū)動低電壓。輸出會保持低電平，直到應(yīng)用北極并且超出 BRP 閾值，這將使輸出驅(qū)動高電壓。必須交換北極和南極才能切換輸出，且集成的磁滯會分開 BOP 和 BRP 以提供可靠切換。

通過使用內(nèi)部振蕩器，DRV5012 器件對磁場進行采樣，并根據(jù) SEL 引腳以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新輸出。這種雙帶寬特性可讓系統(tǒng)在使用最小功率的情況下監(jiān)控移動變化。

此器件通過 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作，并采用小型 X2SON 封裝。

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