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TI氮化鎵 (GaN) ICLMG3411R150

--- 產(chǎn)品詳情 ---

具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
VDS (Max) (V) 600
RDS (on) (Milliohm) 150
ID (Max) (A) 6
Rating Catalog
  • TI GaN 工藝通過了實(shí)際應(yīng)用硬開關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測(cè)試
  • 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
    • 與共源共柵或獨(dú)立 GaN FET 相比具有卓越的系統(tǒng)性能
    • 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)和布局
    • 可調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度確保開關(guān)性能和 EMI 控制
    • 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號(hào)
    • 僅需 +12V 非穩(wěn)壓電源
  • 集成柵極驅(qū)動(dòng)器
    • 零共源電感
    • 20ns 傳播延遲確保 MHz 級(jí)工作頻率
    • 工藝經(jīng)過調(diào)整的柵極偏置電壓確?？煽啃?/li>
    • 25V/ns 至 100V/ns 的用戶可調(diào)節(jié)壓擺率
    • 逐周期過流保護(hù)
  • 強(qiáng)大的保護(hù)
    • 無需外部保護(hù)組件
    • 過流保護(hù)，響應(yīng)時(shí)間低于 100ns
    • 壓擺率抗擾性高于 150V/ns
    • 瞬態(tài)過壓抗擾度
    • 過熱保護(hù)
    • 針對(duì)所有電源軌的 UVLO 保護(hù)
  • 器件選項(xiàng)：
    • LMG3410R150：鎖存過流保護(hù)
    • LMG3411R150：逐周期過流保護(hù)

LMG341xR150 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關(guān)損耗降低 80% 的零反向恢復(fù)以及可降低 EMI 的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。這些優(yōu)勢(shì)支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓?fù)洹?/p>

LMG341xR150 通過集成一系列獨(dú)特的 特性 提供了傳統(tǒng)共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 的智能替代產(chǎn)品，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能。集成式柵極驅(qū)動(dòng)器支持 100V/ns 開關(guān)（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過熱關(guān)斷可防止熱逃逸，而且系統(tǒng)接口信號(hào)可提供自監(jiān)控功能。

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