具有集成驅(qū)動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN
| VDS (Max) (V) | 600 |
| RDS (on) (Milliohm) | 150 |
| ID (Max) (A) | 6 |
| Rating | Catalog |
- TI GaN 工藝通過了實際應用硬開關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測試
- 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計
- 與共源共柵或獨立 GaN FET 相比具有卓越的系統(tǒng)性能
- 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡化了設(shè)計和布局
- 可調(diào)節(jié)驅(qū)動強度確保開關(guān)性能和 EMI 控制
- 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號
- 僅需 +12V 非穩(wěn)壓電源
- 集成柵極驅(qū)動器
- 零共源電感
- 20ns 傳播延遲確保 MHz 級工作頻率
- 工藝經(jīng)過調(diào)整的柵極偏置電壓確保可靠性
- 25V/ns 至 100V/ns 的用戶可調(diào)節(jié)壓擺率
- 逐周期過流保護
- 強大的保護
- 無需外部保護組件
- 過流保護，響應時間低于 100ns
- 壓擺率抗擾性高于 150V/ns
- 瞬態(tài)過壓抗擾度
- 過熱保護
- 針對所有電源軌的 UVLO 保護
- 器件選項：
- LMG3410R150：鎖存過流保護
- LMG3411R150：逐周期過流保護
LMG341xR150 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能，可讓設(shè)計人員在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關(guān)損耗降低 80% 的零反向恢復以及可降低 EMI 的低開關(guān)節(jié)點振鈴。這些優(yōu)勢支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓撲。
LMG341xR150 通過集成一系列獨特的 特性 提供了傳統(tǒng)共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 的智能替代產(chǎn)品，以簡化設(shè)計、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能。集成式柵極驅(qū)動器支持 100V/ns 開關(guān)（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過熱關(guān)斷可防止熱逃逸，而且系統(tǒng)接口信號可提供自監(jiān)控功能。
