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TI氮化鎵 (GaN) ICLMG3522R030-Q1

--- 產(chǎn)品詳情 ---

具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET
VDS (Max) (V) 650
RDS (on) (Milliohm) 30
ID (Max) (A) 55
Rating Automotive

LMG352xR030-Q1 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，可讓設(shè)計人員在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。

LMG352xR030-Q1 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與我們的低電感封裝相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓撲中提供干凈的開關(guān)和超小的振鈴。其他特性（包括用于 EMI 控制的可調(diào)柵極驅(qū)動強度、過熱保護、穩(wěn)健過流保護和故障指示）可提供優(yōu)化的 BOM 成本、布板尺寸和外形尺寸。

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和 TI 的理想二極管模式。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告，這使系統(tǒng)能夠以理想方式管理負載。理想二極管模式通過啟用自適應(yīng)死區(qū)時間控制來降低第三象限損耗，從而更大限度地提高效率。

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