4.5V 至 18V 輸入電壓完整 DDR4 存儲器電源解決方案
| DDR memory type | DDR4 |
| Control mode | D-CAP3 |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 8 |
| Iout VTT (Max) (A) | 1 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.15 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 4.5 |
| Vin (Max) (V) | 18 |
| Features | Complete Solution |
| Rating | Catalog |
- 同步降壓轉(zhuǎn)換器 (VDDQ)
- 輸入電壓范圍：4.5V 至 18V
- 輸出電壓固定為 1.2V
- D-CAP3?模式控制，用于快速瞬態(tài)響應(yīng)
- 持續(xù)輸出電流：8A
- 高級 Eco-mode?脈沖跳躍
- 集成 22mΩ 和 8.6mΩ RDS(on) 內(nèi)部電源開關(guān)
- 600kHz 開關(guān)頻率
- 內(nèi)部軟啟動：1.6ms
- 逐周期過流保護
- 鎖存輸出 OV 和 UV 保護
- 同步降壓轉(zhuǎn)換器 (VPP)
- 輸入電壓范圍：3V 至 5.5V
- 輸出電壓固定為 2.5V
- D-CAP3?模式控制，用于快速瞬態(tài)響應(yīng)
- 持續(xù)輸出電流：1A
- 高級 Eco-mode?脈沖跳躍
- 集成 150mΩ 和 120mΩ RDS(on) 內(nèi)部電源開關(guān)
- 580kHz 開關(guān)頻率
- 內(nèi)部軟啟動：1ms
- 逐周期過流保護
- 鎖存輸出 OV 和 UV 保護
- 1A LDO (VTT)
- 1A 持續(xù)灌電流和拉電流
- 僅需 10μF 的陶瓷輸出電容
- 在 S3 狀態(tài)下支持高阻態(tài)輸出
- ±30mV VTT 輸出精度（直流 + 交流）
- 緩沖基準(zhǔn) (VTTREF)
- 經(jīng)緩沖的低噪聲 ±10mA 功能
- 0.8% 輸出精度
- 低靜態(tài)電流：150μA
- 電源正常指示器
- 輸出放電功能
- 加電和斷電排序控制
- 非鎖存 OT 和 UVLO 保護
- 18 引腳 3.0mm × 3.0mm HotRod?VQFN 封裝
TPS65295 器件能夠以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 存儲器系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)中的 DDR4 加電和斷電順序要求。TPS65295 將兩個同步降壓轉(zhuǎn)換器（VPP 和 VDDQ）與 1A 灌電流和拉電流跟蹤 LDO (VTT) 以及緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 開關(guān)頻率的 D-CAP3?模式，此模式可在無需外部補償電路的情況下實現(xiàn)易于使用的快速瞬變并支持陶瓷輸出電容器。
VTTREF 跟蹤 ? VDDQ 的精度優(yōu)于 0.8%。VTT 可同時提供 1A 持續(xù)灌電流和拉電流功能，而僅需 10μF 的陶瓷輸出電容。
TPS65295 可提供豐富的功能和卓越的電源性能。它支持靈活功耗狀態(tài)控制，將 VTT 置于高阻抗?fàn)顟B(tài)（處于 S3）并在 S4/S5 狀態(tài)下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進行放電。另外還提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和熱關(guān)斷保護。此器件采用熱增強型 18 引腳 HotRod?VQFN 封裝，額定結(jié)溫范圍為 –40°C 至 125°C。
