--- 產(chǎn)品詳情 ---
Rating | Catalog |
Architecture | Gate driver |
Control interface | 6xPWM, 3xPWM, 1xPWM |
Gate drive (A) | 0.15 |
Vs (Min) (V) | 6 |
Vs ABS (Max) (V) | 40 |
Features | Current Sense Amplifier, Hardware Management I/F, Smart Gate Drive |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 6V 至 38V、三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,集成了 3 個(gè)電流檢測(cè)放大器 (CSA)
- 40V 絕對(duì)最大額定值
- 針對(duì) 12V 和 24V 直流電源軌進(jìn)行了全面優(yōu)化
- 驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
- 支持 100% PWM 占空比
- 智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
- 通過(guò)可調(diào)壓擺率控制實(shí)現(xiàn)更出色的 EMI 和 EMC 性能
- 通過(guò) VGS 握手和最小死區(qū)時(shí)間插入方法避免擊穿
- 15mA 至 150mA 峰值拉電流
- 30mA 至 300mA 峰值灌電流
- 6x、3x、1x 和獨(dú)立 PWM 模式
- 支持 120o 傳感器式運(yùn)行模式
- 集成柵極驅(qū)動(dòng)器電源
- 高側(cè)倍增電荷泵
- 低側(cè)線性穩(wěn)壓器
- 集成三個(gè)分流放大器
- 可調(diào)增益(5、10、20、40 V/V)
- 雙向或單向支持
- SPI(預(yù)覽)或硬件器件型號(hào)
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
- 低功耗睡眠模式
- 3.3V、30mA 線性穩(wěn)壓器
- 集成式保護(hù) 特性
- VM 欠壓閉鎖 (UVLO)
- 電荷泵欠壓 (CPUV)
- MOSFET VDS 過(guò)流保護(hù) (OCP)
- MOSFET 擊穿保護(hù)
- 柵極驅(qū)動(dòng)器故障 (GDF)
- 熱警告和熱關(guān)斷 (OTW/OTSD)
- 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)
DRV8304 器件是一款集成式柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于需要 12V 和 24V 直流電源軌的三相無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī) 應(yīng)用 。這些 應(yīng)用 包括 BLDC 電機(jī)的場(chǎng)定向控制 (FOC)、正弦電流控制和梯形電流控制。該器件集成了三個(gè)電流檢測(cè)放大器 (CSA),可感測(cè) BLDC 電機(jī)的相電流,從而獲得最佳的 FOC 和電流控制系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方案。AUTOCAL 功能可以自動(dòng)校準(zhǔn) CSA 失調(diào)誤差,因此可實(shí)現(xiàn)精確的電流檢測(cè)。
該器件基于智能柵極驅(qū)動(dòng) (SGD) 架構(gòu),因此無(wú)需任何外部柵極組件(電阻器和齊納二極管),同時(shí)為外部 FET 提供全面保護(hù)。SGD 架構(gòu)可優(yōu)化死區(qū)時(shí)間以避免出現(xiàn)任何擊穿問(wèn)題,在通過(guò)柵極壓擺率控制技術(shù)降低電磁干擾 (EMI) 方面帶來(lái)了靈活性,并可通過(guò) VGS 握手和死區(qū)插入方法防止任何柵極短路問(wèn)題。強(qiáng)下拉電流還可防止任何 dv/dt 柵極導(dǎo)通。
該器件支持各種 PWM 控制模式(1x、3x、6x 和獨(dú)立模式),從而使用簡(jiǎn)單接口連接到可通過(guò) 30mA、3.3V 內(nèi)部穩(wěn)壓器進(jìn)行供電的控制電路。這些模式可根據(jù)具體的電機(jī)控制要求減少控制器的輸出外設(shè)數(shù)量,并提供控制靈活性。該器件還具有 1x 模式,因此可通過(guò)使用內(nèi)部阻塞換向表對(duì) BLDC 電機(jī)進(jìn)行傳感器式梯形控制。該器件也可以配置為以獨(dú)立模式驅(qū)動(dòng)多個(gè)負(fù)載(如電磁閥)。
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