100V H-bridge gate driver
| Number of full bridges | 1 |
| Vs (Min) (V) | 5 |
| Vs ABS (Max) (V) | 115 |
| Control mode | Independent 1/2-Bridge |
| Control interface | Hardware (GPIO) |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 100V H 橋柵極驅(qū)動器
- 驅(qū)動 N 溝道 MOSFET (NMOS)
- 柵極驅(qū)動器電源 (GVDD)：5-20V
- MOSFET 電源 (SHx) 支持高達 100V 的電壓
- 集成自舉二極管
- 支持反相和同相 INLx 輸入（QFN 封裝）
- 自舉柵極驅(qū)動架構(gòu)
- 750mA 拉電流
- 1.5A 灌電流
- 支持由高達 15 節(jié)串聯(lián)電池供電的應(yīng)用
- SHx 引腳具有低漏電流（小于 55μA）
- 絕對最大 BSTx 電壓高達 115V
- SHx 引腳瞬態(tài)負(fù)壓可達 -22V
-
針對 QFN 封裝，可通過 DT 引腳調(diào)節(jié)死區(qū)時間
- 針對 TSSOP 封裝，固定插入 200ns 死區(qū)時間
- 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入（絕對最大值為 20V）
- 4ns 典型傳播延遲匹配
- 緊湊型 QFN 和 TSSOP 封裝和尺寸
- 具有電源塊的高效系統(tǒng)設(shè)計
- 集成保護特性
- BST 欠壓鎖定 (BSTUV)
- GVDD 欠壓 (GVDDUV)
DRV8770 器件具有兩個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。在 GVDD 驅(qū)動低側(cè) MOSFET 柵極的同時，集成式自舉二極管和外部電容器可為高側(cè) MOSFET 生成合適的柵極驅(qū)動電壓。此柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達 750mA 的柵極驅(qū)動拉電流和 1.5A 的柵極驅(qū)動灌電流。
柵極驅(qū)動引腳的高電壓容差提高了系統(tǒng)魯棒性。SHx 相位引腳能夠承受顯著的負(fù)電壓瞬變；而高側(cè)柵極驅(qū)動器電源的 BSTx 和 GHx 引腳可承受更高的正電壓瞬變（絕對最大值為 115V）。較小的傳播延遲和延遲匹配參數(shù)可盡可能降低死區(qū)時間要求，從而進一步提高效率。通過 GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側(cè)和高側(cè)提供欠壓保護。
