| Technology Family | TXS |
| Applications | SIM Card |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (C) | -40 to 85 |
- 電平轉(zhuǎn)換器
- VDDIO 范圍介于 1.7V 至 3.3V 之間
- 低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器
- 帶有使能的 50mA LDO 穩(wěn)壓器
- 1.8V 至 2.95V 可選輸出電壓
- 2.3V 至 5.5V 輸入電壓范圍
- 極低壓降：電流為 50mA 時為 100mV（最大值）
- 通過配有基帶處理器的 I2C 接口實現(xiàn)控制和通信
- 靜電放電 (ESD) 保護性能超過 JESD 22 規(guī)范要求
- 2500V 人體模型 (A114-B)
- VSIM1，SIM1CLK，SIM1I/O，SIM1RST，VSIM2，SIM2CLK，SIM2I/O，SIM2RST 上的 6000V 人體模型 (A114-B)
- 1000V 充電器件模型 (C101)
- 封裝
- 24 引腳四方扁平無引線封裝 (QFN) (4mm x 4mm)
TXS02326A 是一款完全雙電源待機智能身份模塊 (SIM) 卡解決方案，此解決方案用于將無線基帶處理器與兩個單獨的 SIM 用戶卡接口相連，以存儲移動手機應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)。 它是一個用于將一個單一 SIM/UICC 接口拓展成為支持兩個 SIM/UICC 接口的定制器件。
該器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且還支持 GSM 與 3G 移動標(biāo)準(zhǔn)。 它包括一個能夠支持 B 類 (2.95V) 和 C 類 (1.8V) 接口的高速電平轉(zhuǎn)換器；兩個具有可在 2.95V B 類和 1.8V C 類接口之間選擇輸出電壓的低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器；一個用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “從” I2C 控制寄存器接口；和一個用于內(nèi)部定時生成的 32kHz 時鐘輸入。 為了對兩個 SIM 卡安全斷電，TXS02326A 還包括一個關(guān)斷輸入和一個可檢測電池組取出的比較器輸入。 關(guān)斷輸入和比較器輸入裝有兩個由一個 8 位計數(shù)器實現(xiàn)的可編程防反跳計數(shù)器（即電池拆除關(guān)斷保護引腳 (BSI) 輸入和備用 SIM 卡熱交換引腳 (SDN) 輸入）電路。
電壓電平轉(zhuǎn)換器具有兩個電源電壓引腳。 VDDIO 設(shè)定針對基帶接口的基準(zhǔn)并可在 1.7V 至 3.3V 的電壓下運行。 VSIM1 和 VSIM2 的電壓可被設(shè)定為 1.8V 或者 2.95V，均由一個獨立內(nèi)部 LDO 穩(wěn)壓器供電。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的輸入電池電壓，并向 B 側(cè)電路及外部 B 類或 C 類 SIM 卡輸出高達(dá) 50mA 的電流。
